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薄膜制備設(shè)備
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分子束外延設(shè)備（MBE ⅢB設(shè)備）
一、主要用途：??應(yīng)用于研究和確定晶體生長(zhǎng)機(jī)理及開展表面物理研究，并可生長(zhǎng)各種半導(dǎo)體材料。可精確控制外延薄膜的厚度,成分和攙雜濃度,外延生長(zhǎng)時(shí)可做原位分析與檢測(cè),實(shí)現(xiàn)原子尺度的外延生長(zhǎng)。二、技術(shù)指標(biāo)：1.極限真空：6.7×10-8Pa2.系統(tǒng)結(jié)構(gòu)：Φ300×250（mm）圓形不銹鋼；3.樣品臺(tái)：三工位，可公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)，可升降調(diào)節(jié)，最高可加熱至800℃；三、系統(tǒng)組成：??本系統(tǒng)主要由真空抽氣系統(tǒng)、真空室
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PLD系統(tǒng)
一、設(shè)備用途：??制備超導(dǎo)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、鐵電薄膜、超硬薄膜等。二、主要技術(shù)指標(biāo)：1.激光濺射沉積室，極限真空度優(yōu)于：⒍6×10E-5Pa；工作真空度：40分鐘內(nèi)從大氣抽到5×10-4Pa；系統(tǒng)漏率為：1×10-7PaL/s;2.激光束掃描裝置：具有兩個(gè)自由度；??????????????3.樣品架可加熱及連續(xù)旋轉(zhuǎn)，加熱溫度：800oC±1oC，旋轉(zhuǎn)速度為：0～60轉(zhuǎn)/分；樣品最大尺寸為Ф60㎜
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超高真空脈沖激光濺射沉積室系統(tǒng)
一、主要技術(shù)指標(biāo)：1.采用雙室結(jié)構(gòu)（鍍膜室+樣品室），不銹鋼材料，磁力傳遞進(jìn)行交接；2.激光濺射沉積室，極限真空度優(yōu)于：8.0×10-8Pa；工作真空度：40分鐘內(nèi)從大氣抽到5×10-4Pa；系統(tǒng)漏率為：1×10-7PaL/s；樣品室極限真空度優(yōu)于：8.0×10-4Pa；工作真空度：40分鐘內(nèi)從大氣抽到5×10-3Pa；系統(tǒng)漏率為：1×10-7PaL/s;?????????????3.樣品架可加熱
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