一、設(shè)備用途：
高溫CVD設(shè)備主要采用在真空下，對樣品加熱作為CVD反應(yīng)的環(huán)境和條件，通入反應(yīng)氣體（H2、C3H6、Ar、TaCl5和MTS），在圓板狀樣品表面沉積薄膜。
二、技術(shù)規(guī)格及要求：
1、工位及結(jié)構(gòu)：單工位、立式、下蓋電動雙升降雙層水冷不銹鋼結(jié)構(gòu)；
2、控制方式：手動；
3、極限真空度：<10Pa（冷態(tài)）,系統(tǒng)漏率優(yōu)于2.0×10-6PaL/s；
4、采用石墨加熱元件，石墨屏蔽層，加熱最高溫度：1500℃；爐腔內(nèi)徑約為：200mm；控溫方式：程序升溫；恒溫區(qū)高度：100mm；頂部進氣；底部開口可升、降。
5、有效工作區(qū)溫度控制精度：±1℃；有效工作區(qū)溫度均勻性：±5℃；
6、加熱有效均勻區(qū)為Ø50×100 mm（樣品尺寸Ø50mm）。
7、加熱體采用石墨兩區(qū)加熱（上段加熱體長為100mm，下段加熱體長為150mm）、分區(qū)控溫方式，獨立的控制電源，程序控溫，PID調(diào)節(jié)；
8、抽氣系統(tǒng)采用機械泵抽氣系統(tǒng)，抽速：13.3L/S；
9、采用上進氣方式，進氣流量采用質(zhì)量流量控制器進行控制；
10、氣體/原料：5路；氣路為1～3路：量程100～500sccm；原料為4、5路：蒸發(fā)器；管道伴熱；氣體主要由H2、C3H6、Ar，有機源主要由TaCl5和MTS，有機源通過H2作為載氣進入反應(yīng)室；
11、在抽氣過程中未達到真空狀態(tài)(10Pa以下)設(shè)有禁止加熱保護，使用過程中如系統(tǒng)突然暴露大氣也應(yīng)能處于保護狀態(tài)，系統(tǒng)帶有連鎖保護，避免部件的損壞。
三、系統(tǒng)實施方案及組成
本設(shè)備主要由真空獲得(測量)及充放氣系統(tǒng)、真空室系統(tǒng)、加熱爐及控溫系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、 輔助系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)等幾部分組成
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